5月22日，南昌大學(xué)與頂立科技聯(lián)合培養(yǎng)的首屆專業(yè)碩士研究生學(xué)位論文答辯在頂立科技舉行，因疫情原因，答辯采取線上、線下結(jié)合方式進(jìn)行。

參加此次學(xué)位論文答辯的王卓健、劉興亮、朱晨光三位學(xué)生均是南昌大學(xué)物理與材料學(xué)院與頂立科技聯(lián)合培養(yǎng)的2019級專業(yè)碩士研究生，答辯委員會由國防科技大學(xué)原陶瓷纖維及其復(fù)合材料國防科技重點實驗室研究生導(dǎo)師王思青研究員、南昌大學(xué)物理與材料學(xué)院副院長譚敦強教授、博士生導(dǎo)師章愛生教授、碩士生導(dǎo)師徐一副教授、頂立科技技術(shù)中心主任王艷艷高工組成。戴煜教授課題組的13名博士生與碩士生均在主會場和線上聆聽答辯。

南昌大學(xué)是國家“雙一流”計劃世界一流學(xué)科建設(shè)高校、國家“211工程”重點建設(shè)高校，其材料科學(xué)與工程學(xué)科是世界一流學(xué)科建設(shè)點，擁有一級學(xué)科博士點、博士后流動站和“材料物理與化學(xué)”國家重點學(xué)科。南昌大學(xué)副校長江風(fēng)益院士團(tuán)隊的“硅襯底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管”項目獲得2015年度唯一國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎，助推江西打造“南昌光谷”。

頂立科技擁有“全國博士后科研工作站”、“湖南省工程實驗室”、“湖南省新型熱工裝備工程技術(shù)研究中心”等創(chuàng)新平臺。具有豐富的智能化沉積熱工裝備研制經(jīng)驗，其自主研發(fā)的多元耦合物理場沉積設(shè)備成功應(yīng)用于快速沉積GaN單晶生長用第三代半導(dǎo)體SiC，同時在大尺寸復(fù)雜構(gòu)件上快速沉積SiC方面經(jīng)驗豐富。

三位碩士研究生的學(xué)位論文工作分別涉及第三代半導(dǎo)體GaN單晶生長所需的SiC涂層制備、第三代半導(dǎo)體SiC單晶生長所需的TaC涂層制備、TiB2/7055鋁合金復(fù)合材料的制備，所有論文均實驗工作量大，依托頂立科技的科研和生產(chǎn)平臺完成。論文工作不僅具有一定的創(chuàng)新性，也切合國家戰(zhàn)略需求和地方優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要，并結(jié)合了南昌大學(xué)和頂立科技優(yōu)勢學(xué)科和優(yōu)勢方向，同時促進(jìn)了頂立科技SiC、TaC涂層及TiB2/7055鋁合金復(fù)合材料的研發(fā)。答辯委員會在聽取三位學(xué)員論文內(nèi)容匯報后，通過質(zhì)詢、討論并經(jīng)投票，一致同意其通過論文答辯，并建議授予工程碩士學(xué)位。

此次南昌大學(xué)與頂立科技通過校企合作聯(lián)合培養(yǎng)研究生，實現(xiàn)了校企資源優(yōu)化共享，打造了人才培養(yǎng)雙向新平臺，助力了產(chǎn)學(xué)研的深度融合，相關(guān)研究成果為GaN單晶生長用第三代半導(dǎo)體SiC的產(chǎn)業(yè)化打下了基礎(chǔ)，對助力湖南省“三高四新”戰(zhàn)略實施具有一定意義。